一種硅基LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法和應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110915336.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113725330A 公開（公告）日 2021-11-30
申請公布號 CN113725330A 申請公布日 2021-11-30
分類號 H01L33/12（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李國強 申請（專利權(quán)）人 廣州市眾拓光電科技有限公司
代理機構(gòu) 廣州容大知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉新年
地址 510000廣東省廣州市黃埔區(qū)開源大道136號B2棟1103室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種硅基LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法和應(yīng)用。所述硅基外延結(jié)構(gòu)從下至上包括硅基襯底、第一緩沖層、AlGaN1插入層、第二緩沖層、AlGaN2插入層、非故意摻雜層、N型層、量子阱發(fā)光層、P型電子阻擋層和P型AlGaN層。本發(fā)明通過設(shè)置AlGaN1插入層和AlGaN2插入層，避免了硅基襯底和GaN之間的晶格失配以及熱形變差產(chǎn)生的應(yīng)力會使LED外延片發(fā)生翹曲現(xiàn)象，控制了硅基外延結(jié)構(gòu)的翹曲，從而提高了波長良品率。