一種低輸入電容IGBT
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020457300.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN211743163U | 公開（公告）日 | 2020-10-23 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211743163U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-23 |
| 分類號(hào) | H01L29/06(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 朱旭強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 宜興杰芯半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京思創(chuàng)大成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 宜興杰芯半導(dǎo)體有限公司 |
| 地址 | 214200江蘇省無(wú)錫市宜興市新街百合工業(yè)園新岳路2號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供一種低輸入電容的IGBT，它包括從下至上依次布置的背面P注入?yún)^(qū)和N?區(qū)，在N?區(qū)的兩側(cè)具有P阱區(qū)，在前述P阱區(qū)的內(nèi)部均布置有N+源區(qū)，在兩P阱區(qū)和中部N?區(qū)交界位置的上表面均布置有柵氧區(qū)，在兩柵氧區(qū)的中部布置場(chǎng)氧區(qū)，且前述場(chǎng)氧區(qū)位于N?區(qū)的上表面，兩柵氧區(qū)以及部分與對(duì)應(yīng)柵氧區(qū)相鄰的場(chǎng)氧區(qū)的上表面具有多晶柵區(qū)。本實(shí)用新型的IGBT通過(guò)在元胞區(qū)保留場(chǎng)氧化層并去掉該氧化層上的多晶層，保留了注入增強(qiáng)型優(yōu)點(diǎn)的同時(shí)，輸入電容降低了35％以上，使得芯片在相對(duì)較低的飽和壓降下，提高了開關(guān)速度，降低了開關(guān)損耗。?? |
