一種快恢復(fù)二極管FRD芯片及其生產(chǎn)工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201010581246.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102087976A 公開(kāi)（公告）日 2011-06-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN102087976A 申請(qǐng)公布日 2011-06-08
分類號(hào) H01L21/329(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/22(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 初亞?wèn)|;劉長(zhǎng)蔚;王軍明;梁效峰;牛寶鋼;薄勇;崔俊發(fā);邵楓 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 TCL科技集團(tuán)（天津）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津中環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司
地址 300384 天津市南開(kāi)區(qū)新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)華苑產(chǎn)業(yè)區(qū)海泰東路12號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種快恢復(fù)二極管（FRD）芯片及其生產(chǎn)工藝，采用擴(kuò)散前處理、液態(tài)源兩次擴(kuò)散、背面減薄、氧化、鉑擴(kuò)散、光刻、臺(tái)面腐蝕、電泳、燒結(jié)、劃片等工藝步驟生產(chǎn)結(jié)構(gòu)為P+NN+的二極管，芯片生產(chǎn)工藝采用攜帶液態(tài)磷源深結(jié)擴(kuò)散的方法，提高了擴(kuò)散結(jié)的平坦度，加強(qiáng)了擊穿電壓的均一性、穩(wěn)定性；采用降低硼擴(kuò)散源濃度、提高硼擴(kuò)散源純度的方法，提高了快恢復(fù)二極管的抗浪涌能力；采用電泳的玻璃鈍化工藝，提高了雙向穩(wěn)壓二極管的耐壓穩(wěn)定性，可靠性；減小了反向恢復(fù)時(shí)間，提高了開(kāi)關(guān)速度，減小了壓降，降低了功耗，提高了耐壓的穩(wěn)定性，增加了二極管的可靠性。