避免晶圓邊緣非完整曝光單元表面薄膜剝離的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910862489.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110634729B 公開（公告）日 2021-08-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN110634729B 申請(qǐng)公布日 2021-08-10
分類號(hào) H01L21/02（2006.01）I;H01L21/027（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王澤逸;龍吟;王愷 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海華力集成電路制造有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 戴廣志
地址 201203上海市浦東新區(qū)康橋東路298號(hào)1幢1060室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種避免晶圓邊緣非完整曝光單元表面薄膜剝離的方法，在晶圓表面生長(zhǎng)多晶硅層并進(jìn)行單一源種離子注入；生長(zhǎng)第一氮化物層以及氧化物層；將晶圓表面分為四個(gè)區(qū)域以不同曝光圖形進(jìn)行曝光；刻蝕四個(gè)區(qū)域的多晶硅層并去除氧化物；再次注入相同單一源種的離子；生長(zhǎng)第二氮化物層。通過結(jié)構(gòu)分析還原了表面剝離缺陷形成機(jī)理；通過光刻版圖設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)確認(rèn)剝離缺陷與版圖位置相關(guān)性；通過爐管溫度、時(shí)間、膜厚實(shí)驗(yàn)確認(rèn)剝離缺陷工藝窗口；通過對(duì)光刻版圖選擇區(qū)域進(jìn)行定義解決非完整shot剝離缺陷源；通過濕法去除晶圓表面薄膜解決非完整shot剝離缺陷源；通過全面積干刻制程解決非完整shot剝離缺陷源。