化學(xué)機械研磨的控制方法、設(shè)備和存儲介質(zhì)
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110526806.4 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113246012A | 公開(公告)日 | 2021-08-13 |
申請公布號 | CN113246012A | 申請公布日 | 2021-08-13 |
分類號 | B24B37/00;B24B37/005;B24B37/11 | 分類 | 磨削;拋光; |
發(fā)明人 | 胡宗福;龔昌鴻;韋家蓓;陳建勛;張瑜 | 申請(專利權(quán))人 | 上海華力集成電路制造有限公司 |
代理機構(gòu) | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 黎偉 |
地址 | 201203 上海市浦東新區(qū)良騰路6號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請公開了一種化學(xué)機械研磨的控制方法、設(shè)備和存儲介質(zhì),該方法包括:根據(jù)第一前值、第一后值和第一研磨速率,計算得到第一研磨時間;根據(jù)第一研磨時間,控制第一類型的研磨盤對所述目標(biāo)晶圓進(jìn)行研磨;根據(jù)第二前值、第二后值和第二研磨速率,計算得到第二研磨時間,第二類型的研磨盤和第一類型的研磨盤的硬度不同;根據(jù)第二研磨時間,控制第二類型的研磨盤對目標(biāo)晶圓進(jìn)行研磨。本申請通過計算得到第一類型的研磨盤的第一研磨時間和第二類型的研磨盤的第二研磨時間,從而根據(jù)第一研磨時間和第二研磨時間對目標(biāo)晶圓進(jìn)行研磨,由于第一時間和第二時間是基于上次研磨過程中的厚度差計算得到的,從而能夠準(zhǔn)確地控制研磨厚度,提高了產(chǎn)品的良率。 |
