化學(xué)機(jī)械研磨的控制方法、設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110526806.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113246012A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113246012A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-13 |
| 分類(lèi)號(hào) | B24B37/00;B24B37/005;B24B37/11 | 分類(lèi) | 磨削；拋光; |
| 發(fā)明人 | 胡宗福;龔昌鴻;韋家蓓;陳建勛;張瑜 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 黎偉 |
| 地址 | 201203 上海市浦東新區(qū)良騰路6號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種化學(xué)機(jī)械研磨的控制方法、設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)，該方法包括：根據(jù)第一前值、第一后值和第一研磨速率，計(jì)算得到第一研磨時(shí)間；根據(jù)第一研磨時(shí)間，控制第一類(lèi)型的研磨盤(pán)對(duì)所述目標(biāo)晶圓進(jìn)行研磨；根據(jù)第二前值、第二后值和第二研磨速率，計(jì)算得到第二研磨時(shí)間，第二類(lèi)型的研磨盤(pán)和第一類(lèi)型的研磨盤(pán)的硬度不同；根據(jù)第二研磨時(shí)間，控制第二類(lèi)型的研磨盤(pán)對(duì)目標(biāo)晶圓進(jìn)行研磨。本申請(qǐng)通過(guò)計(jì)算得到第一類(lèi)型的研磨盤(pán)的第一研磨時(shí)間和第二類(lèi)型的研磨盤(pán)的第二研磨時(shí)間，從而根據(jù)第一研磨時(shí)間和第二研磨時(shí)間對(duì)目標(biāo)晶圓進(jìn)行研磨，由于第一時(shí)間和第二時(shí)間是基于上次研磨過(guò)程中的厚度差計(jì)算得到的，從而能夠準(zhǔn)確地控制研磨厚度，提高了產(chǎn)品的良率。 |
