半導(dǎo)體器件的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910643646.4 申請日 -
公開（公告）號 CN110289243B 公開（公告）日 2021-08-10
申請公布號 CN110289243B 申請公布日 2021-08-10
分類號 H01L21/8238（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉厥揚(yáng) 申請（專利權(quán)）人 上海華力集成電路制造有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 戴廣志
地址 201315上海市浦東新區(qū)康橋東路298號1幢1060室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種半導(dǎo)體器件的制備方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括：提供一襯底，在襯底上制備鰭式場效晶體管Fin?FET的N溝道和P溝道，N溝道包括至少一個(gè)第一鰭部，P溝道包括至少一個(gè)第二鰭部；在襯底、第一鰭部以及第二鰭部的表面覆蓋第一氮化硅層；在第一鰭部的上方制備磷硅層；對第一氮化硅層進(jìn)行第一清除處理；在磷硅層、第一鰭部的側(cè)表面以及第二鰭部的表面覆蓋第二氮化硅層；在第二鰭部的上方制備鍺硅層；對第二氮化硅層進(jìn)行第二清除處理。本申請通過對氮化硅層的兩次清除處理，能夠較為徹底地清除氮化硅殘留，解決了在制備Fin?FET的過程中產(chǎn)生的微小缺陷問題，提高了Fin?FET的穩(wěn)定性。