晶片承載結(jié)構(gòu)和料盤
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110379655.4 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN113078096A | 公開(公告)日 | 2021-07-06 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN113078096A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-06 |
分類號(hào) | H01L21/683(2006.01)I;H01L21/673(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 郎欣林;羅會(huì)才;閆靜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 深圳市豐泰工業(yè)科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 深圳智匯遠(yuǎn)見知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 艾青;牛悅涵 |
地址 | 518000廣東省深圳市寶安區(qū)福海街道新田社區(qū)大洋路90-4號(hào)101 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種晶片承載結(jié)構(gòu)和料盤。晶片承載結(jié)構(gòu)包括:粘接層和承載層,所述粘接層成型于所述承載層上,所述粘接層用于粘接晶片,所述承載層的延伸率的取值范圍為0%至5%。利用本發(fā)明實(shí)施例提供的晶片承載結(jié)構(gòu),通過粘接層對(duì)晶片進(jìn)行粘接,在轉(zhuǎn)移晶片承載結(jié)構(gòu)時(shí),晶片承載結(jié)構(gòu)上的晶片不容易發(fā)生位移,且在后續(xù)將目標(biāo)晶片從晶片承載結(jié)構(gòu)上剝離時(shí),可以僅針對(duì)目標(biāo)晶片進(jìn)行剝離,而不會(huì)影響到其他不需要?jiǎng)冸x的晶片。 |
