一種扇出型芯片的封裝方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110474659.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113192850A | 公開(公告)日 | 2021-07-30 |
申請公布號 | CN113192850A | 申請公布日 | 2021-07-30 |
分類號 | H01L21/56;H01L21/48;H01L23/522 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 張鳳霞 | 申請(專利權(quán))人 | 長沙新雷半導(dǎo)體科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京品源專利代理有限公司 | 代理人 | 胡彬 |
地址 | 410000 湖南省長沙市天心區(qū)芙蓉中路三段380號匯金苑9棟522、523、533、534、535房-12 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種扇出型芯片的封裝方法,涉及半導(dǎo)技術(shù)體領(lǐng)域。該扇出型芯片的封裝方法包括以下步驟:S1:在保護(hù)層上貼裝芯片;S2:利用塑封料制作塑封層,所述塑封層與所述保護(hù)層將所述芯片包覆;S3:去除所述保護(hù)層,露出所述芯片與所述保護(hù)層貼合的面;S4:翻轉(zhuǎn)塑封后的所述芯片使外露面朝上;S5:在所述芯片的外露面一次成型制作金屬線路層,所述金屬線路層包括多層金屬線路;S6:在所述金屬線路層灌筑液態(tài)絕緣材料制作絕緣介質(zhì)層;S7:烘烤固化所述絕緣介質(zhì)層。該扇出型芯片的封裝方法能夠?qū)⒔饘倬€路層及絕緣介質(zhì)層僅通過一次烘烤固化成型,大幅提高產(chǎn)品合格率。 |
