一種芯片的封裝方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110476697.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113192852A | 公開(公告)日 | 2021-07-30 |
申請公布號 | CN113192852A | 申請公布日 | 2021-07-30 |
分類號 | H01L21/56;H01L23/31;H01L21/78 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 張鳳霞 | 申請(專利權(quán))人 | 長沙新雷半導體科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京品源專利代理有限公司 | 代理人 | 胡彬 |
地址 | 410000 湖南省長沙市天心區(qū)芙蓉中路三段380號匯金苑9棟522、523、533、534、535房-12 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種芯片的封裝方法,涉及封裝產(chǎn)品分割成型技術(shù)領(lǐng)域。該芯片的封裝方法包括以下步驟:制作分隔件;在所述封裝槽內(nèi)制作金屬線路層和絕緣介質(zhì)層;烘烤固化絕緣介質(zhì)層;在所述封裝基板上表面貼裝芯片;在所述封裝槽內(nèi)制作塑封層;對所述塑封層進行烘烤固化;高溫烘烤,直至分隔件完全融化,從而使封裝顆粒分開;所述分隔件的熔點低于所述金屬線路層、固化后的所述絕緣介質(zhì)層及固化后的所述塑封層的熔點,所述高溫烘烤的溫度高于所述分隔件的熔點,低于所述金屬線路層、固化后的所述絕緣介質(zhì)層及固化后的所述塑封層的熔點。該芯片的封裝方法能夠降低封裝顆粒之間的間隙,提高單位面積內(nèi)封裝顆粒的數(shù)量,提高生產(chǎn)效率。 |
