用于改善光芯片切割質(zhì)量的劃片刻蝕及光芯片的生產(chǎn)方法及光芯片
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201910440226.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN110208905A | 公開(公告)日 | 2019-09-06 |
申請公布號 | CN110208905A | 申請公布日 | 2019-09-06 |
分類號 | G02B6/12;G02B6/13;G02B6/136 | 分類 | 光學; |
發(fā)明人 | 布蘭特·埃弗雷特·李特爾;尹兵 | 申請(專利權(quán))人 | 寧波東立創(chuàng)芯光電科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 西安智邦專利商標代理有限公司 | 代理人 | 汪海艷 |
地址 | 315800 浙江省寧波市北侖區(qū)新碶街道明州西路476號1棟3號-52 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明屬于光芯片加工領(lǐng)域,涉及一種用于改善光芯片切割質(zhì)量的劃片刻蝕及光芯片的生產(chǎn)方法及光芯片,解決了光芯片切割造成光芯片損傷的問題,通過在晶圓上的劃片位置進行深刻蝕,刻穿整個光學層(包括光波導層和包層),形成劃片凹槽,讓劃片系統(tǒng)僅僅刻蝕晶圓襯底,而不影響光學層,從而有效降低由于晶圓切割導致的光芯片崩邊及光芯片破損。 |
