半導(dǎo)體激光器陣列封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910440207.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110190504B 公開（公告）日 2020-12-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN110190504B 申請(qǐng)公布日 2020-12-15
分類號(hào) H01S5/022;H01S5/026;H01S5/40 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐之光;程?hào)|;馬云振 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 寧波東立創(chuàng)芯光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 汪海艷
地址 315800 浙江省寧波市北侖區(qū)新碶街道明州西路476號(hào)1棟3號(hào)-52
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于光通信技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種半導(dǎo)體激光器陣列封裝結(jié)構(gòu)，解決了半導(dǎo)體激光器陣列芯片的封裝問(wèn)題，n個(gè)激光器芯片均背面朝上貼裝至襯底正面；n個(gè)MPD均貼裝至襯底正面；n個(gè)耦合電容及n個(gè)匹配電阻均貼裝至襯底背面；每個(gè)激光器芯片的EA區(qū)焊盤及增益區(qū)焊盤依次分別通過(guò)一條金屬化導(dǎo)線及金線連接至襯底之外；n個(gè)MPD均通過(guò)金線連接至襯底之外；每個(gè)金屬化過(guò)孔分別與一個(gè)激光器芯片的EA區(qū)焊盤連接，且每個(gè)金屬化過(guò)孔分別通過(guò)一根金屬化導(dǎo)線與各耦合電容的一端連接，各耦合電容的另一端分別通過(guò)一根金屬化導(dǎo)線與匹配電阻連接。在任何外調(diào)制激光器(EML：External Modulated Laser)陣列光器件中，都可以借鑒應(yīng)用。