高散熱硅基封裝基板、制作方法及高散熱封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910079369.9 申請日 -
公開（公告）號 CN109686707A 公開（公告）日 2019-04-26
申請公布號 CN109686707A 申請公布日 2019-04-26
分類號 H01L23/367（2006.01）I; H01L23/48（2006.01）I; H01L21/768（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫海燕; 葛明敏; 趙繼聰; 黃靜; 孫玲; 方家恩; 彭一弘 申請（專利權(quán)）人 蘇州銳杰微科技集團有限公司
代理機構(gòu) 江蘇隆億德律師事務(wù)所 代理人 南通大學(xué); 成都銳杰微科技有限公司
地址 226019 江蘇省南通市崇川區(qū)嗇園路9號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種高散熱硅基封裝基板，包括硅襯底，硅襯底縱向設(shè)置多個垂直通孔，垂直通孔貫穿硅襯底的上、下表面，垂直通孔內(nèi)設(shè)置導(dǎo)電導(dǎo)熱柱，導(dǎo)電導(dǎo)熱柱兩端裸露于硅襯底的上下表面，導(dǎo)電導(dǎo)熱柱外側(cè)壁設(shè)置電學(xué)隔離層，垂直通孔的直徑范圍為50～200μm。本發(fā)明提供的高散熱硅基封裝基板，具備散熱模塊集成度高，體積小巧，成本低，有利于封裝結(jié)構(gòu)的應(yīng)用，此外，本發(fā)明還提供了其制作方法及基于其的封裝結(jié)構(gòu)。