半導(dǎo)體裝置的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201010205758.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN101924020B 公開（公告）日 2012-09-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN101924020B 申請(qǐng)公布日 2012-09-05
分類號(hào) H01L21/20(2006.01)I;H01L33/12(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 宋健民 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市前海科創(chuàng)石墨烯新技術(shù)研究院
代理機(jī)構(gòu) 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 程偉;張碩
地址 廣東省深圳市南山區(qū)前灣一路63號(hào)萬科企業(yè)公館21B棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。在一方面中，舉例而言，一種制造半導(dǎo)體裝置的方法可包括將一鉆石層的一工作表面拋光成一大致平坦的表面、將一緩沖層沉積于該鉆石層的該工作表面上、及將一半導(dǎo)體層沉積于該緩沖層上。在一特定方面中，該緩沖層的C軸定向于垂直該鉆石層的該工作表面。