實(shí)質(zhì)上具有晶格匹配的半導(dǎo)體材料及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201010542762.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102097461B 公開（公告）日 2013-07-31
申請(qǐng)公布號(hào) CN102097461B 申請(qǐng)公布日 2013-07-31
分類號(hào) H01L29/12(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 宋健民 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市前?？苿?chuàng)石墨烯新技術(shù)研究院
代理機(jī)構(gòu) 北京科龍寰宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 孫皓晨
地址 廣東省深圳市南山區(qū)前灣一路63號(hào)萬科企業(yè)公館21B棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明是一種實(shí)質(zhì)上具有晶格匹配的半導(dǎo)體材料及其制造方法。在一方面中，該半導(dǎo)體元件包含有一第一半導(dǎo)體材料、一第二半導(dǎo)體材料以及一沉積于該第一半導(dǎo)體材料以及該第二半導(dǎo)體材料之間的原子模板間層；該原子模板間層將與第一半導(dǎo)體材料以及第二半導(dǎo)體材料產(chǎn)生鍵結(jié)并促使兩半導(dǎo)體材料之間產(chǎn)生實(shí)質(zhì)上的晶格匹配。