鉆石底半導(dǎo)體裝置及其相關(guān)方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910178897.6 申請日 -
公開（公告）號 CN102034772B 公開（公告）日 2013-02-27
申請公布號 CN102034772B 申請公布日 2013-02-27
分類號 H01L23/373(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 宋健民 申請（專利權(quán)）人 深圳市前?？苿?chuàng)石墨烯新技術(shù)研究院
代理機(jī)構(gòu) 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 壽寧;張華輝
地址 廣東省深圳市南山區(qū)前灣一路63號萬科企業(yè)公館21B棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明是有關(guān)于一種鉆石底半導(dǎo)體裝置及其相關(guān)方法。其中一方法可包含：在一單晶硅生長基材上形成一單晶碳化硅的取向附生層；在該碳化硅層上形成一取向附生鉆石層；在該鉆石層上形成一硅層；以一硅載具基材的二氧化硅表面結(jié)合到該硅層；以及去除該硅生長基材。以外露該碳化硅層。在另一方面，可在該碳化硅層上沉積一半導(dǎo)體層。該半導(dǎo)體層可通過取向附生方式進(jìn)行沉積。