降低等效電阻的硅電容器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210552154.2 申請日 -
公開（公告）號 CN103022019A 公開（公告）日 2013-04-03
申請公布號 CN103022019A 申請公布日 2013-04-03
分類號 H01L23/64(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳杰;唐劍平;雷鳴;陳立軍 申請（專利權(quán)）人 無錫納能科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所 代理人 無錫納能科技有限公司
地址 214072 江蘇省無錫市濱湖區(qū)蠡園開發(fā)區(qū)滴翠路100號530大廈2號樓2003室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種降低等效電阻的硅電容器，包括襯底，在襯底上表面形成多個凹槽，在襯底的上表面和凹槽的表面形成導(dǎo)電層，在導(dǎo)電層上設(shè)置介質(zhì)層，在介質(zhì)層上設(shè)置多晶層；所述導(dǎo)電層、介質(zhì)層和多晶層依次設(shè)置在凹槽內(nèi)，并且凹槽被多晶層填滿；其特征是：在所述多晶層上設(shè)置金屬層，金屬層與多晶層歐姆接觸；在所述金屬層上設(shè)置絕緣隔離層，絕緣隔離層覆蓋住下方的金屬層、多晶層和介質(zhì)層；在所述絕緣隔離層上設(shè)置第一連接孔和第二連接孔，在第一連接孔和第二連接孔處分別設(shè)置第一電極和第二電極，第一電極與導(dǎo)電層連接，第二電極與金屬層接觸。本發(fā)明在多晶層上覆蓋金屬鋁，制造工藝簡單，得到的電容器體積小、電容量大。