多層硅基電容器電極連接結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201220517257.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN202905470U 公開(kāi)（公告）日 2013-04-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN202905470U 申請(qǐng)公布日 2013-04-24
分類號(hào) H01G4/30(2006.01)I;H01G4/002(2006.01)I;H01G4/005(2006.01)I;H01G4/232(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 雷鳴;唐劍平;陳杰;陳立軍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無(wú)錫納能科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無(wú)錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所 代理人 無(wú)錫納能科技有限公司;無(wú)錫中微晶園電子有限公司
地址 214072 江蘇省無(wú)錫市濱湖區(qū)蠡園開(kāi)發(fā)區(qū)滴翠路100號(hào)530大廈2號(hào)樓2003室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種多層硅基電容器電極連接結(jié)構(gòu)，屬于高密度硅基電容器的技術(shù)領(lǐng)域。按照本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案，所述多層硅基電容器電極連接結(jié)構(gòu)，包括襯底；所述襯底內(nèi)設(shè)置若干槽型的面積擴(kuò)張區(qū)域；在所述襯底的面積擴(kuò)張區(qū)域內(nèi)設(shè)置若干內(nèi)部電極層；所述內(nèi)部電極層包括奇數(shù)內(nèi)部電極層及與所述奇數(shù)內(nèi)部電極層交替分布的偶數(shù)內(nèi)部電極層，所述偶數(shù)內(nèi)部電極層與奇數(shù)內(nèi)部電極層間設(shè)置介質(zhì)層；襯底的上表面上設(shè)置互連電極層，所述互連電極層包括用于與偶數(shù)內(nèi)部電極層電連接的偶數(shù)互連電極及用于與奇數(shù)內(nèi)部電極層電連接的奇數(shù)互連電極，所述偶數(shù)互連電極與奇數(shù)互連電極間絕緣隔離。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)緊湊，減少工藝所需光刻次數(shù)，降低制作成本。