高密度電容器及其電極引出方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210002933.5 申請日 -
公開（公告）號 CN102569250A 公開（公告）日 2012-07-11
申請公布號 CN102569250A 申請公布日 2012-07-11
分類號 H01L23/522(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 雷鳴;陳杰;陳立軍 申請（專利權(quán)）人 無錫納能科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所 代理人 無錫納能科技有限公司;無錫中微晶園電子有限公司
地址 214072 江蘇省無錫市濱湖區(qū)蠡園開發(fā)區(qū)滴翠路100號530大廈2號樓2003室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種高密度電容器及其電極引出方法，其包括襯底；襯底上生長若干局部電極層，局部電極層包括偶數(shù)局部電極層及與所述偶數(shù)局部電極層相匹配的奇數(shù)局部電極層，奇數(shù)局部電極層與偶數(shù)局部電極層間設(shè)有高介電常數(shù)介質(zhì)層，襯底的上方設(shè)有互連電極層，互連電極層包括偶數(shù)互連電極及奇數(shù)互連電極，奇數(shù)互連電極與偶數(shù)互連電極間絕緣隔離。本發(fā)明電容器具有電容量大、等效串聯(lián)電感小、等效串聯(lián)電阻可調(diào)，等效串聯(lián)電阻可根據(jù)電路的要求調(diào)整以達(dá)到最佳匹配；產(chǎn)品高精度、高可靠、體積小、壽命長、環(huán)保，可廣泛應(yīng)用于高頻電路去耦、降噪使用，也可用在普通儲能電路中，容易集成，可集成在IC芯片上或與IC封裝在同一封裝內(nèi)。