硅電容器內(nèi)部多層電極連接結(jié)構(gòu)及連接方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210165420.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102683318B 公開（公告）日 2014-07-02
申請(qǐng)公布號(hào) CN102683318B 申請(qǐng)公布日 2014-07-02
分類號(hào) H01L23/522(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳杰;唐劍平;雷鳴;陳立軍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無錫納能科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 無錫納能科技有限公司;無錫中微晶園電子有限公司
地址 214072 江蘇省無錫市濱湖區(qū)蠡園開發(fā)區(qū)滴翠路100號(hào)530大廈2號(hào)樓2003室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種硅電容器內(nèi)部多層電極連接結(jié)構(gòu)及連接方法，其包括襯底；所述襯底的表面上形成第一內(nèi)部電極層，所述第一內(nèi)部電極層的上方設(shè)有若干交替分布的奇數(shù)電極層與偶數(shù)電極層，且奇數(shù)電極層與偶數(shù)電極層在襯底上方匹配對(duì)應(yīng)；奇數(shù)電極層與偶數(shù)電極層間設(shè)置有介質(zhì)層，且第一內(nèi)部電極層與鄰近的奇數(shù)電極層間通過介質(zhì)層相連；所述襯底上方設(shè)有互連電極，所述互連電極包括第一金屬外電極及第二金屬外電極，所述第一金屬外電極與奇數(shù)電極層及第一內(nèi)部電極層等電位連接，第二金屬外電極與偶數(shù)電極層等電位連接，第一金屬外電極與第二金屬外電極絕緣隔離。本發(fā)明電容密度高，工藝兼容，降低制造成本，安全可靠。