制備納米薄膜的系統(tǒng)及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710349730.6 申請日 -
公開（公告）號 CN107267918A 公開（公告）日 2017-10-20
申請公布號 CN107267918A 申請公布日 2017-10-20
分類號 C23C14/22(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 張啟輝 申請（專利權(quán)）人 深圳市航盛新材料技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 深圳市明日今典知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 深圳市航盛新材料技術(shù)有限公司
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道高新南六道航盛科技大廈6樓6677
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明揭示一種制備納米薄膜的系統(tǒng)及方法，其中制備納米薄膜的系統(tǒng)包括處理裝置、等離子發(fā)生器、偏轉(zhuǎn)裝置與成型裝置；偏轉(zhuǎn)裝置包括第一管道與第一電磁線圈；成型裝置設(shè)置有基層；等離子發(fā)生器將制備納米薄膜的原料電離成陰離子與陽離子；第一電磁線圈將陰離子或者陽離子偏轉(zhuǎn)進入第一管道，陰離子或者陽離子通過第一管道進入成型裝置，成型裝置使所述陰離子得到電子形成原子或使所述陰離子失去電子形成原子，在基層形成納米薄膜。本發(fā)明大大提高了納米薄膜的質(zhì)量。