高散熱效率的大功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝基座及生產(chǎn)工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200510040764.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN1728411A 公開（公告）日 2006-02-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN1728411A 申請(qǐng)公布日 2006-02-01
分類號(hào) H01L33/00(2006.01);H01L23/34(2006.01);H01L23/12(2006.01) 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 彭暉;張濤;梁秉文 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南京漢德森半導(dǎo)體照明有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 211000江蘇省南京市江寧區(qū)江寧科學(xué)園漢德森科技園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明展示幾種新型的具有高散熱效率的熱沉的大功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝基座及其生產(chǎn)的工藝。主要特征如下：在保持封裝基座的外形尺寸不變和易于批量生產(chǎn)的情況下，擴(kuò)大熱沉底部的接觸面積。主要工藝步驟如下：制造金屬支架模片，注塑金屬支架模片形成封裝基座模片(不包括熱沉)，在每一個(gè)封裝基座的背面點(diǎn)膠，把熱沉放置在每一個(gè)封裝基座中，固化膠。本發(fā)明揭示的新型的具有高散熱效率的熱沉的大功率半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝基座(包括熱沉)，也可以應(yīng)用于其他半導(dǎo)體芯片或器件的封裝基座。