充電樁上使用的低功耗超導(dǎo)熱防反二極管
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202220246560.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN216928572U | 公開(公告)日 | 2022-07-08 |
申請公布號 | CN216928572U | 申請公布日 | 2022-07-08 |
分類號 | H01L23/495(2006.01)I;H01L23/49(2006.01)I;H01L23/40(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 姚文康;王雙;呂強;王毅 | 申請(專利權(quán))人 | 揚州揚杰電子科技股份有限公司 |
代理機構(gòu) | 揚州市蘇為知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | - |
地址 | 225008江蘇省揚州市邗江區(qū)平山堂北路江陽創(chuàng)業(yè)園三期 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 充電樁上使用的低功耗超導(dǎo)熱防反二極管。涉及充電樁,尤其涉及充電樁上使用的低功耗超導(dǎo)熱防反二極管的結(jié)構(gòu)改進。包括設(shè)置在塑封體內(nèi)的框架一、框架二、框架三和框架四;所述框架一上設(shè)有上下間隔設(shè)置的芯片一和芯片二,其引腳一從塑封體內(nèi)伸出;所述框架二間隔設(shè)置在框架一的側(cè)部,通過跳線一與芯片一電性連接,通過跳線二與芯片二電性連接,其引腳二從塑封體內(nèi)伸出;所述框架四上設(shè)有上下間隔設(shè)置的芯片三和芯片四,其引腳四從塑封體內(nèi)伸出;所述框架三間隔設(shè)置在框架四的側(cè)部,通過跳線三與芯片三電性連接,通過跳線四與芯片四電性連接,其引腳三從塑封體內(nèi)伸出。本實用新型具有結(jié)構(gòu)緊湊、降低VF和功耗等特點。 |
