一種氮化鎵肖特基勢壘二極管及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011638912.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114695112A 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN114695112A 申請公布日 2022-07-01
分類號 H01L21/329（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I;H01L29/872（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙成;韓亞;孫越;王思元;王毅 申請（專利權(quán)）人 揚州揚杰電子科技股份有限公司
代理機構(gòu) 揚州市蘇為知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 225008江蘇省揚州市邗江區(qū)平山堂北路江陽創(chuàng)業(yè)園三期
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種氮化鎵肖特基勢壘二極管及制備方法，涉及氮化鎵功率半導(dǎo)體器件。包括基板、過渡層、漂移層、有源區(qū)、漂移通道、場板和金屬電極層；有源區(qū)包括依次相接的漂移層和有源區(qū)第一半導(dǎo)體層；有源區(qū)第一半導(dǎo)體層、漂移層和兩個漂移通道構(gòu)成一個環(huán)狀的漂移區(qū)結(jié)構(gòu)，相對于僅有橫向漂移區(qū)的橫向型氮化鎵肖特基勢壘二極管結(jié)構(gòu)或者僅有垂直漂移區(qū)的垂直型氮化鎵肖特基勢壘二極管結(jié)構(gòu)，漂移區(qū)的路徑總長度大于制作在相同基板及外延層尺寸的橫向型器件結(jié)構(gòu)，由此增大氮化鎵肖特基勢壘二極管的阻斷電壓。本案具有提高器件的阻斷電壓，同時使陽極電極、陰極電極和場板電極匯集于器件結(jié)構(gòu)的頂面，形成共面的器件輸入輸出電極結(jié)構(gòu)，便于器件平面集成等特點。