用于紫外光發(fā)光二極管的基板及該基板的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610251235.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN107305918A 公開(kāi)（公告）日 2017-10-31
申請(qǐng)公布號(hào) CN107305918A 申請(qǐng)公布日 2017-10-31
分類號(hào) H01L33/20(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張延瑜;李瑞評(píng);郭浩中;黃嘉彥;劉哲宇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 元鴻（山東）光電材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 代理人 任巖
地址 272000 山東省濟(jì)寧市濟(jì)寧高新區(qū)榮昌路與聯(lián)華路交匯處路東高新區(qū)信息產(chǎn)業(yè)園（聯(lián)華路9號(hào)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種用于紫外光發(fā)光二極管的基板，由以下列步驟制造：在一基材的表面制作一微納米結(jié)構(gòu)；于該微納米結(jié)構(gòu)上設(shè)置一磊晶層，該磊晶層包含一氮化鋁層；將設(shè)置有該磊晶層的基材置于一氣氛中進(jìn)行退火，其中該氣氛至少有一含有碳元素的氣體，且退火的溫度為1500℃以上；具有該微納米結(jié)構(gòu)的基材及該磊晶層形成用于紫外光發(fā)光二極管的基板。從而，使磊晶層的穿透差排的密度降低，在后續(xù)制成紫外光發(fā)光二極管后，減少紫外光與差排缺陷復(fù)合的機(jī)會(huì)，增進(jìn)發(fā)光效率。