用于紫外光發(fā)光二極管的基板及該基板的制造方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201610251235.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN107305918B | 公開(公告)日 | 2019-04-12 |
申請公布號 | CN107305918B | 申請公布日 | 2019-04-12 |
分類號 | H01L33/20;H01L33/00 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 張延瑜;李瑞評;郭浩中;黃嘉彥;劉哲宇 | 申請(專利權(quán))人 | 元鴻(山東)光電材料有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 任巖 |
地址 | 272000 山東省濟(jì)寧市濟(jì)寧高新區(qū)榮昌路與聯(lián)華路交匯處路東高新區(qū)信息產(chǎn)業(yè)園(聯(lián)華路9號) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種用于紫外光發(fā)光二極管的基板,由以下列步驟制造:在一基材的表面制作一微納米結(jié)構(gòu);于該微納米結(jié)構(gòu)上設(shè)置一磊晶層,該磊晶層包含一氮化鋁層;將設(shè)置有該磊晶層的基材置于一氣氛中進(jìn)行退火,其中該氣氛至少有一含有碳元素的氣體,且退火的溫度為1500℃以上;具有該微納米結(jié)構(gòu)的基材及該磊晶層形成用于紫外光發(fā)光二極管的基板。從而,使磊晶層的穿透差排的密度降低,在后續(xù)制成紫外光發(fā)光二極管后,減少紫外光與差排缺陷復(fù)合的機(jī)會,增進(jìn)發(fā)光效率。 |
