一種IGBT芯片排布結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022560569.7 申請日 -
公開（公告）號 CN213150759U 公開（公告）日 2021-05-07
申請公布號 CN213150759U 申請公布日 2021-05-07
分類號 H01L23/52(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L23/14(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 馬克·拉斐爾·施奈爾;斯萬·馬蒂亞斯;梁杰;張強 申請（專利權）人 賽晶亞太半導體科技（浙江）有限公司
代理機構 北京中政聯(lián)科專利代理事務所（普通合伙） 代理人 燕宏偉;章洪
地址 314100浙江省嘉興市嘉善縣惠民街道晉吉路56號CAF變流車間東
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種IGBT芯片排布結構，包括焊接于陶瓷覆銅基板上呈直線排布的多個IGBT芯片和多個二極管芯片，每個二極管芯片通過鍵合鋁線與對應IGBT芯片鍵合連接且為一組，每組的IGBT芯片的柵極通過柵極鍵合鋁線鍵合連接于陶瓷覆銅基板的銅條上且每組的IGBT芯片遠離二極管芯片一端通過鍵合鋁線鍵合連接于陶瓷覆銅基板的金屬鍍覆層上。本實用新型通過直線排布的IGBT芯片排布方式，在IGBT模塊剛開始導通的時候，直線排布的IGBT芯片的電流平衡性比傳統(tǒng)排布的IGBT芯片的電流平衡性更好，直線排布的IGBT芯片的電流的均流性能也比傳統(tǒng)排布的IGBT芯片的電流均流性更好，并且IGBT芯片的熱分布離IGBT芯片安全工作區(qū)邊界更遠，使得產品的可靠性更高。??