MEMS器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910325569.8 申請日 -
公開（公告）號 CN110054145A 公開（公告）日 2019-07-26
申請公布號 CN110054145A 申請公布日 2019-07-26
分類號 B81B7/02（2006.01）I; B81C1/00（2006.01）I 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 萬蔡辛 申請（專利權(quán)）人 武漢耐普登科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 武漢耐普登科技有限公司
地址 214000 江蘇省無錫市新吳區(qū)菱湖大道111號無錫軟件園天鵝座C棟5樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種MEMS器件及其制造方法，該制造方法包括：形成至少一個(gè)第一空腔，第一空腔自半導(dǎo)體襯底的指定表面延伸至半導(dǎo)體襯底中；形成第一犧牲層，第一空腔被第一犧牲層填滿；形成具有第一通道孔的第一結(jié)構(gòu)層，第一結(jié)構(gòu)層覆蓋第一犧牲層，每個(gè)第一空腔與相應(yīng)的第一通道孔位置對應(yīng)；以及經(jīng)第一通道孔去除第一空腔中的第一犧牲層。該制造方法通過避免使用DRIE工藝、ICP工藝以及晶圓鍵合工藝形成空腔與結(jié)構(gòu)層，從而降低了制造成本。