一種N型單晶硅基太陽(yáng)能電池及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811027509.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109309147B 公開(kāi)（公告）日 2019-12-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN109309147B 申請(qǐng)公布日 2019-12-06
分類號(hào) H01L31/20（2006.01）; H01L31/0216（2014.01）; H01L31/0236（2006.01）; H01L31/0747（2012.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 管先炳 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州相高鑫數(shù)字科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華仁聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 蘇州元聯(lián)科技創(chuàng)業(yè)園管理有限公司
地址 215131 江蘇省蘇州市相城區(qū)元和街道嘉元路959號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種N型單晶硅基太陽(yáng)能電池及其制備方法，該N型單晶硅基太陽(yáng)能電池的制備方法包括以下步驟：在N型單晶硅片的上下表面形成類金字塔微結(jié)構(gòu)；接著在所述N型單晶硅片的上下表面分別形成多個(gè)平行排列的對(duì)應(yīng)的第一矩形凹槽和第二矩形凹槽，且所述第一矩形凹槽與相應(yīng)的所述第二矩形凹槽在垂直方向上部分重疊；在所述N型單晶硅片的上下表面噴涂含有三乙醇鋁的溶液，然后進(jìn)行退火處理，以形成氧化鋁鈍化層；然后在所述N型單晶硅片的上下表面沉積各非晶硅層、透明導(dǎo)電層以及柵電極。本發(fā)明的N型單晶硅基太陽(yáng)能電池具有優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換效率。