一種N型單晶硅基太陽能電池及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811027509.X 申請日 -
公開（公告）號 CN109309147B 公開（公告）日 2019-12-06
申請公布號 CN109309147B 申請公布日 2019-12-06
分類號 H01L31/20（2006.01）; H01L31/0216（2014.01）; H01L31/0236（2006.01）; H01L31/0747（2012.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 管先炳 申請（專利權(quán)）人 蘇州相高鑫數(shù)字科技有限公司
代理機構(gòu) 北京華仁聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 蘇州元聯(lián)科技創(chuàng)業(yè)園管理有限公司
地址 215131 江蘇省蘇州市相城區(qū)元和街道嘉元路959號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種N型單晶硅基太陽能電池及其制備方法，該N型單晶硅基太陽能電池的制備方法包括以下步驟：在N型單晶硅片的上下表面形成類金字塔微結(jié)構(gòu)；接著在所述N型單晶硅片的上下表面分別形成多個平行排列的對應的第一矩形凹槽和第二矩形凹槽，且所述第一矩形凹槽與相應的所述第二矩形凹槽在垂直方向上部分重疊；在所述N型單晶硅片的上下表面噴涂含有三乙醇鋁的溶液，然后進行退火處理，以形成氧化鋁鈍化層；然后在所述N型單晶硅片的上下表面沉積各非晶硅層、透明導電層以及柵電極。本發(fā)明的N型單晶硅基太陽能電池具有優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換效率。