一種泡沫金屬的高速真空鍍膜設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201521121824.0 申請日 -
公開（公告）號 CN205329150U 公開（公告）日 2016-06-22
申請公布號 CN205329150U 申請公布日 2016-06-22
分類號 C23C14/34(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 李偉;王乃用;劉俊林;蘇衍憲;李常興;孟國強(qiáng);邢尋勇;錢亞杰;韓珅;田利 申請（專利權(quán)）人 菏澤天宇科技開發(fā)有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 濟(jì)南泉城專利商標(biāo)事務(wù)所 代理人 張貴賓
地址 274000 山東省菏澤市開發(fā)區(qū)黃河?xùn)|路三里河工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及泡沫金屬生產(chǎn)領(lǐng)域，特別涉及一種泡沫金屬的高速真空鍍膜設(shè)備。該泡沫金屬的高速真空鍍膜設(shè)備，包括相互對稱的上卷繞室和下卷繞室，上卷繞室和下卷繞室中間設(shè)有鍍膜室；所述上卷繞室和下卷繞室內(nèi)設(shè)有卷輥；所述卷輥通過電機(jī)帶動；所述鍍膜室包括殼體，殼體上下分別設(shè)有法蘭；所述殼體內(nèi)壁上設(shè)有N組相對的陰極靶和冷卻裝置；所述冷卻裝置與循環(huán)管相連，陰極靶與設(shè)備的濺射電源相連；所述電機(jī)、濺射電源等通過PCL控制器控制。本實(shí)用新型采用多靶極，短間距濺射，模芯接觸式直接冷卻的方案，實(shí)現(xiàn)模芯在真空環(huán)境下高速鍍膜。