含有金屬鉻基板的銦鎵鋁氮半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200510030868.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN100474642C 公開（公告）日 2009-04-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN100474642C 申請(qǐng)公布日 2009-04-01
分類號(hào) H01L33/00(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 江風(fēng)益;熊傳兵;方文卿;王立 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中國農(nóng)業(yè)銀行股份有限公司南昌高新支行
代理機(jī)構(gòu) 江西省專利事務(wù)所 代理人 晶能光電（江西）有限公司
地址 330047江西省南昌市南京東路235號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種含有金屬鉻基板的銦鎵鋁氮半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法，該半導(dǎo)體發(fā)光元件包含：一個(gè)含鉻的支撐基板，層疊于支撐基板之上的第一歐姆電極，層疊于第一歐姆電極之上的銦鎵鋁氮半導(dǎo)體疊層，層疊于銦鎵鋁氮半導(dǎo)體疊層之上的第二歐姆電極。制造上述發(fā)光元件的方法，包括以下步驟：在硅襯底上形成銦鎵鋁氮半導(dǎo)體疊層，在銦鎵鋁氮半導(dǎo)體疊層上形成第一歐姆電極，在第一歐姆電極上形成鉻支撐基板，把硅襯底去除，在銦鎵鋁氮半導(dǎo)體疊層上形成第二歐姆電極。該發(fā)光元件具有成本較低、發(fā)光效率高、散熱特性好等優(yōu)點(diǎn)。