抗靜電氮化鎵發(fā)光器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200810106851.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN101271916B 公開（公告）日 2010-12-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN101271916B 申請(qǐng)公布日 2010-12-29
分類號(hào) H01L27/15(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 熊傳兵;江風(fēng)益;王立;王古平;章少華 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中國(guó)農(nóng)業(yè)銀行股份有限公司南昌高新支行
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 330029 江西省南昌市高新開發(fā)區(qū)艾溪湖北路699號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種抗靜電氮化鎵發(fā)光器件及其制造方法，該發(fā)光器件具有較好的抗靜電能力，在一定程度上避免靜電對(duì)發(fā)光器件的損壞。該發(fā)光器件包括發(fā)光薄膜、分別形成在發(fā)光薄膜上面和下面的第一電極和第二電極，所述發(fā)光器件還包括形成在所述第一電極中或者所述第二電極中的大電子遷移率電感線圈；所述大電子遷移率電感線圈形成在所述發(fā)光薄膜的上面或下面，或者第一電極中的導(dǎo)電體層上面或下面，或者第二電極中的導(dǎo)電體層上面或下面；所述大電子遷移率電感線圈材料的電子遷移率大于與之接觸導(dǎo)電體層材料的電子遷移率。本發(fā)明主要用于防止靜電對(duì)半導(dǎo)體發(fā)光器件的破壞。