具有超高反向擊穿電壓的氮化鎵發(fā)光器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200710168024.8 申請日 -
公開（公告）號 CN101378102B 公開（公告）日 2010-10-13
申請公布號 CN101378102B 申請公布日 2010-10-13
分類號 H01L33/00(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 江風(fēng)益;王立;方文卿;莫春蘭;蒲勇;熊傳兵 申請（專利權(quán)）人 中國農(nóng)業(yè)銀行股份有限公司南昌高新支行
代理機構(gòu) 北京市金杜律師事務(wù)所 代理人 王茂華
地址 330047 江西省南昌市南京東路235號南昌大學(xué)北區(qū)(材料科學(xué)研究所)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的一個實施例提供一種基于氮化稼(GaN)的半導(dǎo)體發(fā)光器件(LED)，包括：n型基于GaN的半導(dǎo)體層(n型層)；有源層；以及p型基于GaN的半導(dǎo)體層(p型層)。在生長有源層與p型層之前通過使用氨氣(NH3)作為氮源來外延地生長n型層。在V族元素和III族元素之間的流速比率從初始值逐漸地減少到最終值。基于GaN的LED表現(xiàn)出等于或者大于60伏特的反向擊穿電壓。