用于制造p型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200710112585.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN101330118B 公開（公告）日 2010-06-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN101330118B 申請(qǐng)公布日 2010-06-09
分類號(hào) H01L33/00(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 江風(fēng)益;王立;方文卿;莫春蘭 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中國農(nóng)業(yè)銀行股份有限公司南昌高新支行
代理機(jī)構(gòu) 北京市金杜律師事務(wù)所 代理人 晶能光電(江西)有限公司
地址 330047 江西省南昌市南京東路235號(hào)南昌大學(xué)北區(qū)(材料科學(xué)研究所)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供了一種用于制造III-V族p型氮化物結(jié)構(gòu)的方法。該方法包括在第一生長(zhǎng)環(huán)境中生長(zhǎng)具有第一受主濃度的第一層p型III-V族材料。該方法還包括在第二生長(zhǎng)環(huán)境中在第一層的頂部上生長(zhǎng)第二層p型III-V族材料，其比第一層厚并且其具有第二受主濃度。另外，該方法包括在第三生長(zhǎng)環(huán)境中在第二層的頂部上生長(zhǎng)第三層p型III-V族材料，其比第二層薄并且其具有第三受主濃度。