獲得在分割襯底上制造的半導(dǎo)體器件的高質(zhì)量邊界的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200710104428.0 申請日 -
公開（公告）號 CN100580905C 公開（公告）日 2010-01-13
申請公布號 CN100580905C 申請公布日 2010-01-13
分類號 H01L21/784(2006.01)I;H01L27/00(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王立;江風益 申請（專利權(quán)）人 中國農(nóng)業(yè)銀行股份有限公司南昌高新支行
代理機構(gòu) 北京市金杜律師事務(wù)所 代理人 晶能光電(江西)有限公司;晶能光電（江西）有限公司
地址 330047江西省南昌市南京東路235號南昌大學(xué)北區(qū)(材料科學(xué)研究所)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的一個實施例提供一種用于獲得在溝槽分割襯底上制造的各個多層結(jié)構(gòu)的高質(zhì)量邊界的工藝。在操作期間，該工藝獲取溝槽分割襯底，其中將該襯底的表面分成由溝槽陣列分隔的隔離淀積臺的陣列。然后，該工藝在淀積臺中的一個上形成多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括第一摻雜層、有源層和第二摻雜層。接著，該工藝去除多層結(jié)構(gòu)的側(cè)壁。