具有內(nèi)陷電極的半導(dǎo)體發(fā)光元件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200510027807.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN100474641C 公開(kāi)（公告）日 2009-04-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN100474641C 申請(qǐng)公布日 2009-04-01
分類(lèi)號(hào) H01L33/00(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 江風(fēng)益;王立;方文卿;周毛興;劉和初 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 中國(guó)農(nóng)業(yè)銀行股份有限公司南昌高新支行
代理機(jī)構(gòu) 江西省專(zhuān)利事務(wù)所 代理人 晶能光電（江西）有限公司
地址 330047江西省南昌市南京東路235號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種具有內(nèi)陷電極的半導(dǎo)體發(fā)光元件，該元件包括一個(gè)具有主面和背面的襯底、形成于襯底主面之上的第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層、形成于第一半導(dǎo)體層之上的第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層、形成在襯底背面的第一歐姆電極和形成于第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層上的第二歐姆電極，特征是第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層表面具有一凹坑，凹坑的深度大于第二歐姆電極的厚度，且第二歐姆電極形成于凹坑內(nèi)。襯底和第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層之間有一金屬疊層。所述的第一導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層為P型層，所述的第二導(dǎo)電類(lèi)型半導(dǎo)體層為N型層，N型層和P型層之間還有一發(fā)光層。本發(fā)明可改善傳統(tǒng)半導(dǎo)體發(fā)光元件的電極牢固度問(wèn)題，從而解決影響歐姆接觸性能和元件長(zhǎng)期工作的可靠性的難題。