一種多通道經(jīng)顱電刺激裝置及其方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201810104245.7 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN108096703A | 公開(公告)日 | 2018-06-01 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN108096703A | 申請(qǐng)公布日 | 2018-06-01 |
分類號(hào) | A61N1/08;A61N1/18 | 分類 | 醫(yī)學(xué)或獸醫(yī)學(xué);衛(wèi)生學(xué); |
發(fā)明人 | 趙功博;黃纓婷;秦偉;任曉林;陳霸東 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 陜西智聯(lián)腦控科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 陜西智聯(lián)腦控科技有限公司 |
地址 | 712000 陜西省西安市西咸新區(qū)灃西新城西部云谷13號(hào)樓9層901室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種多通道經(jīng)顱電刺激裝置及其方法,包括上位機(jī)模塊、ARM控制模塊、FPGA波形發(fā)生模塊和模擬電路模塊;ARM控制模塊主要負(fù)責(zé)與上位機(jī)模塊發(fā)送的控制數(shù)據(jù),并且將控制數(shù)據(jù)通過可變靜態(tài)存儲(chǔ)控制器傳輸?shù)紽PGA波形發(fā)生模塊的RAM存儲(chǔ)單元上;FPGA波形發(fā)生模塊包括多個(gè)互相獨(dú)立的通道,每個(gè)通道具有波形產(chǎn)生模塊,且每個(gè)通道能夠獨(dú)立產(chǎn)生波形,且RAM存儲(chǔ)單元得到的控制數(shù)據(jù)能夠控制每個(gè)通道的波形的產(chǎn)生;能夠?qū)崿F(xiàn)多通道經(jīng)顱電刺激下每一單通道參數(shù)能夠調(diào)節(jié),增加了電流反饋,使刺激電流穩(wěn)定。 |
