基于納米級散熱器的晶圓封裝結(jié)構(gòu)及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111656277.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114446904A 公開（公告）日 2022-05-06
申請公布號 CN114446904A 申請公布日 2022-05-06
分類號 H01L23/367（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I;H01L23/467（2006.01）I;B82Y30/00（2011.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱建校;陸明;商俊強;朱文杰;姜培;史方 申請（專利權(quán)）人 光梓信息科技（上海）有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 盧炳瓊
地址 518100廣東省深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDF棟大廈401
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種基于納米級散熱器的晶圓封裝結(jié)構(gòu)及方法。晶圓封裝方法包括步驟：提供待封裝的晶圓，晶圓包括相對的正面和背面，正面上形成有芯片；對晶圓的背面進行光刻刻蝕，以于晶圓的背面形成多個間隔設(shè)置的散熱鰭片，各散熱鰭片通過溝槽相間隔，散熱鰭片的厚度小等于100nm；于散熱鰭片的表面和溝槽的表面依次沉積形成熱界面材料層和散熱層以形成納米級散熱器，熱界面材料層和散熱層的厚度之和小于溝槽的寬度的1/2。本發(fā)明創(chuàng)造性地在芯片的背面形成新型結(jié)構(gòu)散熱器，通過工藝流程及結(jié)構(gòu)設(shè)計，可形成納米尺寸的散熱器，能獲得更大的散熱表面積，極大改善器件的散熱性能，提高器件可靠性，而且可確保封裝出的結(jié)構(gòu)尺寸不會增加，保證WLCSP小尺寸的優(yōu)勢。