在垂直方向上調(diào)節(jié)傳輸線阻抗的結(jié)構(gòu)及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811028865.3 申請日 -
公開(公告)號 CN109121290B 公開(公告)日 2021-05-07
申請公布號 CN109121290B 申請公布日 2021-05-07
分類號 H05K1/11(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 孫全輝;商俊強;馬建旭 申請(專利權(quán))人 光梓信息科技(上海)有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 代理人 余明偉
地址 201203上海市浦東新區(qū)中國(上海)自由貿(mào)易試驗區(qū)亮秀路112號B座703A室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種在垂直方向上調(diào)節(jié)傳輸線阻抗的結(jié)構(gòu)及方法,包括:位于兩個平行平面的第一金屬層、第二金屬層,以及連接于第一金屬層及第二金屬層之間的第一過孔;其中,第一過孔包括至少兩個并聯(lián)設(shè)置的過孔;且第一金屬層及第二金屬層的面積均大于與之連接的各過孔的截面積之和。調(diào)節(jié)金屬層的面積以實現(xiàn)對過孔區(qū)域容抗的控制,調(diào)節(jié)過孔的數(shù)量及連接關(guān)系以實現(xiàn)對過孔區(qū)域感抗的控制,使得過孔的特性阻抗與信號傳輸線的特性阻抗匹配。本發(fā)明采用精確的阻抗控制方式,使得信號在更寬頻的范圍內(nèi)都能保持阻抗的一致性,對于超高速更高階的信號傳輸有更小的反射,插入損耗更均勻,能滿足光通信200G,400G以及800G的芯片封裝和信號傳輸?shù)脑O(shè)計要求。??