一種銦砷銻多晶原料的合成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010658979.7 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN111763988A 公開（公告）日 2020-10-13
申請公布號(hào) CN111763988A 申請公布日 2020-10-13
分類號(hào) C30B29/40;C30B11/00;C30B28/06 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 練小正 申請（專利權(quán)）人 進(jìn)化半導(dǎo)體（深圳）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京中仟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 田江飛
地址 300354 天津市津南區(qū)辛莊鎮(zhèn)金地藝境29號(hào)樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種銦砷銻多晶原料的合成方法，通過設(shè)計(jì)特定的原料組分、采用特殊的合成裝置以及獨(dú)創(chuàng)的原料合成工藝，成功合成了公斤級(jí)的InAsxSb1?x（0≤x≤0.1）多晶原料，為后續(xù)大尺寸銦砷銻體單晶的制備奠定了基礎(chǔ)。