制造高密度氧化錫銦(ITO)濺射靶

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201180038918.X 申請日 -
公開（公告）號 CN103221572A 公開（公告）日 2013-07-24
申請公布號 CN103221572A 申請公布日 2013-07-24
分類號 C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 D·巴魯克 申請（專利權(quán)）人 深圳賽麗圖光電新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京潤平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王鳳桐;周建秋
地址 518110 廣東省深圳市寶安區(qū)觀瀾街道啟明社區(qū)裕昌路13號金裕工業(yè)園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 提供了制造氧化錫銦(ITO)濺射靶的方法。所述方法包括：沉淀氫氧化銦和氫氧化錫、煅燒氫氧化物、以生產(chǎn)顆粒狀I(lǐng)TO粉末、使用添加劑（如專門的燒結(jié)助劑、分散劑和粘結(jié)劑）制備ITO粉末的含水漿液、研磨漿液以得到粉漿、使用多孔鑄模通過澆注粉漿制備壓實(shí)的ITO生坯或干燥粉漿以產(chǎn)生顆粒狀I(lǐng)TO粉末和冷等靜壓粉末、和燒結(jié)生坯以產(chǎn)生具有大于理論的99%的高密度的ITO靶。