一種溴摻雜的高導(dǎo)電超薄石墨烯膜的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810061894.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN108249424B 公開（公告）日 2020-01-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN108249424B 申請(qǐng)公布日 2020-01-10
分類號(hào) C01B32/184（2017.01） 分類 無機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 高超; 彭蠡; 許震 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 杭州德烯科技集團(tuán)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 代理人 黃歡娣;邱啟旺
地址 313100 浙江省湖州市長(zhǎng)興經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)明珠路1278號(hào)長(zhǎng)興世貿(mào)大廈8層830室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種溴摻雜的高導(dǎo)電超薄石墨烯膜的制備方法，該石墨烯膜由氧化石墨烯經(jīng)過濾抽成膜、化學(xué)還原、固液同步轉(zhuǎn)移、高溫石墨化、溴摻雜等步驟得到。該石墨烯膜由單層氧化/還原氧化石墨烯通過物理交聯(lián)組成。石墨烯膜厚度為10?2000個(gè)原子層。氧化石墨烯膜厚度很小，并且內(nèi)部存在大量的缺陷，因而具很好的透明度以及極好的柔性?；瘜W(xué)還原后，大部分官能團(tuán)消失，石墨烯膜開始導(dǎo)電；高溫還原，石墨烯結(jié)構(gòu)修復(fù)，電子遷移率提升；溴摻雜后石墨烯載流子濃度提升。此石墨烯膜可用作高柔性透明導(dǎo)電器件。