一種薄膜沉積裝置和薄膜沉積方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202110428360.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113249707A | 公開（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申請公布號(hào) | CN113249707A | 申請公布日 | 2021-08-13 |
| 分類號(hào) | C23C16/44（2006.01）I | 分類 | 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 劉鎮(zhèn)頡;柳雪 | 申請（專利權(quán)）人 | 拓荊科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 沈陽維特專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 陳暉 |
| 地址 | 110179遼寧省沈陽市渾南區(qū)水家900號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種薄膜沉積裝置和薄膜沉積方法，其中一種薄膜沉積裝置包括：反應(yīng)腔室、承載座，所述承載座設(shè)置于反應(yīng)腔室中，用于承載基板；所述反應(yīng)腔室上部設(shè)有第一進(jìn)氣口，反應(yīng)腔室下部設(shè)有第二氣體進(jìn)氣口和泵抽氣口，所述反應(yīng)腔室內(nèi)的兩側(cè)設(shè)有環(huán)形側(cè)壁，所述反應(yīng)腔室內(nèi)還設(shè)有分隔板和第二氣體出氣環(huán)；本發(fā)明提供的一種薄膜沉積裝置，可與薄膜沉積工藝同步進(jìn)行，減少清洗時(shí)間提高產(chǎn)能，并改善腔體及薄膜顆粒度；本發(fā)明提供的薄膜沉積方法，通過腔體側(cè)壁形成氣環(huán)降低腔體側(cè)壁的溫度，通過惰性氣體稀釋腔體底部的反應(yīng)源濃度，防止薄膜累積過多及清除不徹底而產(chǎn)生的顆粒，改善了腔體及薄膜顆粒度。 |
