用于半導體薄膜沉積設備中絕緣柱升降狀態(tài)的檢測方法及檢測系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110394645.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113257698A 公開（公告）日 2021-08-13
申請公布號 CN113257698A 申請公布日 2021-08-13
分類號 H01L21/66（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王琳琳;王卓;楊艷 申請（專利權）人 拓荊科技股份有限公司
代理機構 沈陽維特專利商標事務所（普通合伙） 代理人 王翠
地址 110179遼寧省沈陽市渾南區(qū)水家900號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種用于半導體薄膜沉積設備中絕緣柱升降狀態(tài)的檢測方法及檢測系統(tǒng)，檢測方法中基于對半導體薄膜沉積設備中薄膜沉積腔內晶圓的厚度檢測，依據檢測的晶圓厚度來間接反映出晶圓是否發(fā)生傾斜，進而判斷絕緣柱的升降狀態(tài)，一旦絕緣柱的升降狀態(tài)存在異常，則可控制機械手臂停止進行取片動作，進而避免機械手臂與晶圓發(fā)生碰撞，從降低腔體碎片概率、機械手指撞片損傷的概率，減少設備故障時間以及晶圓異常沉積造成的電弧硬件損傷；該檢測方法，簡單易行，可為后續(xù)的機械手臂進行預警，可有效降低設備的故障率；所述檢測系統(tǒng)，是基于上述檢測方法而研發(fā)的一套檢測系統(tǒng)，具有設計合理，結構簡單等優(yōu)點。