雙面沉積設(shè)備及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010221138.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113445029A 公開（公告）日 2021-09-28
申請公布號 CN113445029A 申請公布日 2021-09-28
分類號 C23C16/505（2006.01）I;C23C16/458（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 呂光泉;張賽謙;劉忠武 申請（專利權(quán)）人 拓荊科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 林斯凱
地址 110179遼寧省沈陽市渾南區(qū)水家900號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及雙面沉積設(shè)備及方法。所述雙面沉積設(shè)備包括：腔室；上電極，其設(shè)置于所述腔室中且包括第一噴淋頭，所述第一噴淋頭用于提供第一反應(yīng)氣體至晶圓的上表面，以在所述上電極與所述晶圓的上表面之間形成第一等離子體區(qū)；下電極，其設(shè)置于所述腔室中且包括第二噴淋頭，所述第二噴淋頭用于提供第二反應(yīng)氣體至所述晶圓的下表面，以在所述下電極與所述晶圓的下表面之間形成第二等離子體區(qū)，其中所述第一噴淋頭提供第一反應(yīng)氣體的期間與所述第二噴淋頭提供第二反應(yīng)氣體的期間至少有部分重疊。