一種熱絲法CVD金剛石過渡層濺射設(shè)備及其使用方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910658839.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110396674A 公開（公告）日 2019-11-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN110396674A 申請(qǐng)公布日 2019-11-01
分類號(hào) C23C16/27（2006.01）I; C23C14/56（2006.01）I; C23C14/35（2006.01）I; C23C14/06（2006.01）I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 黃仕江; 蔣源; 袁明 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海妙殼新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 201311 上海市浦東新區(qū)大團(tuán)鎮(zhèn)東大公路2458號(hào)1幢5600室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種熱絲法CVD金剛石過渡層濺射設(shè)備，包括真空腔體、與真空腔體連接的分子泵以及與分子泵連接的機(jī)械泵，且工件臺(tái)上設(shè)置有基體，所述基體與真空腔體之間通過位于真空腔體外側(cè)的脈沖偏壓電源連接，且真空腔體的內(nèi)腔左右插接有向下伸出的位于工件臺(tái)左右兩側(cè)的兩個(gè)燈絲電極，兩個(gè)燈絲電極的下端之間通過燈絲電源連接，且兩個(gè)燈絲電極的上端之間通過燈絲連接，所述真空腔體內(nèi)充滿反應(yīng)氣體。其使用方法包括以下步驟：S1預(yù)抽真空、S2溫度設(shè)置、S3濺射設(shè)置、S4燈絲設(shè)置和S5濺射。該發(fā)明，提高了金剛石基體的結(jié)合力，提高了金剛石的純度和厚度，相對(duì)于專門的設(shè)備，這里成本更低，便于普及。