一種二維（PEA）2PbX4納米片、制備方法及其在紫外光探測器中的應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210211541.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114685555A 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN114685555A 申請公布日 2022-07-01
分類號 C07F7/24（2006.01）I;C07C209/00（2006.01）I;C07C211/27（2006.01）I;H01L51/42（2006.01）I;H01L51/46（2006.01）I 分類 有機化學〔2〕;
發(fā)明人 李佳;周妮;孟令強;喻學鋒 申請（專利權(quán)）人 中國科學院深圳先進技術(shù)研究院
代理機構(gòu) 北京市誠輝律師事務(wù)所 代理人 -
地址 518055廣東省深圳市南山區(qū)深圳大學城學苑大道1068號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種二維（PEA）2PbX4納米片、制備方法及其在紫外光探測器中的應(yīng)用，屬于光電探測器技術(shù)領(lǐng)域。二維（PEA）2PbX4納米片的制備方法包括：（1）取PEAX和PbX2混合，溶解于N,N?二甲基甲酰胺中，在攪拌條件下加熱再過濾，得到前驅(qū)體溶液；（2）控制溫度，在強烈攪拌的條件下滴加前驅(qū)體溶液至甲苯中，反溶劑沉淀法獲得分散液；（3）取兩塊硅片襯底清洗，再用紫外光處理吹干，刮開一端表面上的二氧化硅作為電極并連接導(dǎo)電線，其余部分浸沒于分散液中，施加電壓，獲得二維的（PEA）2PbX4納米片。本發(fā)明片狀結(jié)構(gòu)具有較低的缺陷態(tài)密度，還具有天然形成的結(jié)構(gòu)邊界，能在納米尺度實現(xiàn)對入射光的調(diào)控。