石英與硅的直接鍵合方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110803054.1 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113488381A | 公開(公告)日 | 2021-10-08 |
申請公布號 | CN113488381A | 申請公布日 | 2021-10-08 |
分類號 | H01L21/18(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 劉佳晶;李闖;王宣歡;丁正健;王佳龍 | 申請(專利權)人 | 長春長光圓辰微電子技術有限公司 |
代理機構 | 長春中科長光知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人 | 高一明;郭婷 |
地址 | 130000吉林省長春市經(jīng)開區(qū)營口路18號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種石英與硅的直接鍵合方法,包括如下步驟:S1、提供石英片與硅片,并利用化學氣相沉積法在石英片的表面生長二氧化硅薄膜;S2、對二氧化硅薄膜進行化學機械研磨;S3、利用研磨后的二氧化硅薄膜將石英片與硅片直接鍵合。本發(fā)明在常溫下即可完成石英片與硅片的鍵合,無需高溫條件,也不含有銨離子,與后續(xù)的MOS工藝相兼容,拓展了集成電路的應用范圍,保證了產品的成品率和質量。 |
