一種提高硅片鍵合力的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011615431.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112670170A 公開(kāi)（公告）日 2021-04-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN112670170A 申請(qǐng)公布日 2021-04-16
分類號(hào) H01L21/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉佳晶;丁正建;王宣歡;于樂(lè);張凱;方小磊 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 長(zhǎng)春長(zhǎng)光圓辰微電子技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 長(zhǎng)春中科長(zhǎng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 高一明;郭婷
地址 130000 吉林省長(zhǎng)春市經(jīng)開(kāi)區(qū)營(yíng)口路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種提高硅片鍵合力的方法，其特征在于，通過(guò)等離子化學(xué)氣相沉積，在其中一片硅片上生長(zhǎng)二氧化硅薄膜；將兩片硅片在常溫常壓下進(jìn)行鍵合并退火。解決了兩片硅片在常溫常壓下鍵合強(qiáng)度小的問(wèn)題，并且改善了硅片本身的使用局限性，拓展了可用的硅片范圍，提高了鍵合硅片的鍵合強(qiáng)度，保證了產(chǎn)品的成品率和質(zhì)量。