硅片單側膜淀積的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011609514.9 申請日 -
公開（公告）號 CN112802734A 公開（公告）日 2021-05-14
申請公布號 CN112802734A 申請公布日 2021-05-14
分類號 H01L21/02;H01L21/683;C23C16/04;C23C16/40;C23C16/455 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 方小磊;劉佳晶;于樂;陳濤;王宣歡;陳艷明 申請（專利權）人 長春長光圓辰微電子技術有限公司
代理機構 長春中科長光知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 高一明;郭婷
地址 130000 吉林省長春市經開區(qū)營口路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種硅片單側膜淀積的方法，提出硅片單側膜淀積的方法，該方法為通過利用原子層沉積（ALD）設備在低溫下實現(xiàn)硅片單側薄膜淀積，即選擇合適的背膜，并將此背膜通過一定的技術手段粘附在硅片的背面以防止硅片背面淀積薄膜，在淀積工藝完成后將背膜剝離即可。一般情況下，背膜可以在200℃?300℃保持12小時而不熔化、收縮或變形。通過背膜的運用，實現(xiàn)了低溫下（200℃?300℃）硅片單側膜沉積的目的，為后續(xù)工藝提供了方便條件。此種方法可應用于氧化鋁，氧化鉿等薄膜的制備，并且具有簡便、易操作、成本低等優(yōu)點。同時，制備的薄膜厚度線性可調（15A?1000A），均勻性好（均勻性小于0.5％）。