一種微腔芯片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111291758.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114137659A 公開（公告）日 2022-03-04
申請公布號 CN114137659A 申請公布日 2022-03-04
分類號 G02B6/13（2006.01）I;G02B6/136（2006.01）I 分類 光學;
發(fā)明人 李昱東;李維;馮梁森;尤建琦;李小寬;劉雅麗 申請（專利權）人 中國航空工業(yè)集團公司北京長城計量測試技術研究所
代理機構 北京市隆安律師事務所 代理人 付建軍
地址 100095北京市海淀區(qū)溫泉鎮(zhèn)環(huán)山村1066信箱
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種微腔芯片及其制備方法，其中，微腔芯片的制備方法包括：準備晶圓襯底；在襯底上進行低折射率材料的下包層生長；在下包層中生長高折射率材料的第一芯層；在所述第一芯層中按照預定的版圖進行波導結構和微腔結構中的一個的光刻刻蝕；在所述第一芯層上進行低折射率材料的第一上包層生長；使用化學機械拋光對晶圓進行平坦化；在所述第一上包層上進行控制耦合間距的低折射率材料的間隔包層生長；在所述間隔包層上生長高折射率材料的第二芯層；在所述第二芯層中按照預定的版圖進行波導結構和微腔結構中的另一個的光刻刻蝕；在所述第二芯層上進行低折射率材料的第二上包層生長。本發(fā)明能夠解決現(xiàn)有技術昂貴復雜并且引入額外噪聲的問題。