一種微腔芯片及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111291758.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114137659A | 公開（公告）日 | 2022-03-04 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114137659A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-04 |
| 分類號(hào) | G02B6/13（2006.01）I;G02B6/136（2006.01）I | 分類 | 光學(xué); |
| 發(fā)明人 | 李昱東;李維;馮梁森;尤建琦;李小寬;劉雅麗 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 中國(guó)航空工業(yè)集團(tuán)公司北京長(zhǎng)城計(jì)量測(cè)試技術(shù)研究所 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京市隆安律師事務(wù)所 | 代理人 | 付建軍 |
| 地址 | 100095北京市海淀區(qū)溫泉鎮(zhèn)環(huán)山村1066信箱 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種微腔芯片及其制備方法，其中，微腔芯片的制備方法包括：準(zhǔn)備晶圓襯底；在襯底上進(jìn)行低折射率材料的下包層生長(zhǎng)；在下包層中生長(zhǎng)高折射率材料的第一芯層；在所述第一芯層中按照預(yù)定的版圖進(jìn)行波導(dǎo)結(jié)構(gòu)和微腔結(jié)構(gòu)中的一個(gè)的光刻刻蝕；在所述第一芯層上進(jìn)行低折射率材料的第一上包層生長(zhǎng)；使用化學(xué)機(jī)械拋光對(duì)晶圓進(jìn)行平坦化；在所述第一上包層上進(jìn)行控制耦合間距的低折射率材料的間隔包層生長(zhǎng)；在所述間隔包層上生長(zhǎng)高折射率材料的第二芯層；在所述第二芯層中按照預(yù)定的版圖進(jìn)行波導(dǎo)結(jié)構(gòu)和微腔結(jié)構(gòu)中的另一個(gè)的光刻刻蝕；在所述第二芯層上進(jìn)行低折射率材料的第二上包層生長(zhǎng)。本發(fā)明能夠解決現(xiàn)有技術(shù)昂貴復(fù)雜并且引入額外噪聲的問題。 |
